MTA32ATF4G64HZ-2G6B2 SODIMM DDR4 镁光 传Intel 2021年用上台积电6nm 2022年直接上马3nm工艺
传Intel 2021年用上台积电6nm 2022年直接上马3nm工艺
在半导体工艺上，Intel的10nm已经量产，但是官方也表态其产能不会跟22nm、14nm那样大，这或许是一个重要的信号。此前业界多次传出Intel也会外包芯片给台积电，最新爆料称2022年Intel也会上台积电3nm。
来自业界消息人士@手机晶片达人的爆料称，Intel预计会在2021年大规模使用台积电的6nmn工艺，目前正在制作光罩（Mask）了。
在2022年Intel还会进一步使用台积电的3nm工艺代工。
在更早的爆料中，手机晶片达人指出Intel 2021年开始外包外公的主要是GPU及芯片组，还警告说2021年苹果、海思、Intel及AMD会让产能非常紧张。
假如Intel真的打算扩大外包，除了已经部分外包的芯片组之外，首当其冲的就是GPU，因为GPU相对CPU制造来说更简单一些，而且台积电在GPU制造上很有经验。
结合之前的消息来看，Intel的Xe架构独显DG1使用的是自家10nm工艺制造，今年底上市，拥有96组EU执行单元，一共是768个核心，基础频率1GHz，加速频率1.5GHz，1MB二级缓存以及3GB显存，TDP为25W。
预计DG1的性能与GTX950相当，比GTX 1050则差了15%左右，总体定位不高，适合高能效领域，尤其是笔记本GPU。
DG1之后还会有DG2独显，这就是一款高性能CPU了，之前爆料DG2会用上台积电的7nm工艺，现在来看应该是7nm改良版的6nm工艺了。
不过2021年Intel自己的7nm工艺也会量产，官方早已宣布用于数据中心的Ponte Vecchio加速卡会使用自家的7nm EUV工艺。
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