MTA32ATF4G64HZ-2G6B2 SODIMM DDR4 镁光
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NTH4L060N090SC1 详细参数介绍：
型号：NTH4L060N090SC1
品牌：安森美/on
系列：MOSEFT
描述：SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
包装：卷带（TR）
零件状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:43 毫欧 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:87 nC @ 15 V
Vgs（最大值）:+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 450 V
功率耗散（最大值）:221W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4L
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