摘要：4月21日消息，据台湾媒体报道，晶圆代工龙头台积电位于台湾竹科宝山二期的2nm晶圆厂Fab 20建厂计划已正式启动。

4月21日消息，据台湾媒体报道，晶圆代工龙头台积电位于台湾竹科宝山二期的2nm晶圆厂Fab 20建厂计划已正式启动。

竹科管理局局长王永壮20日表示，竹科管理局已将部分用地租予台积电，台积电将可展开整地作业，估计最晚将于6月取得所有用地。另外，世界先进评估兴建12吋厂且有意进驻铜锣园区设厂，王永壮表示待环差案通过将进行用地分配。

王永壮表示，竹科宝山二期扩建计划进展顺利，经过几十次沟通，已有超过九成的地主同意价购征收，新竹县政府将于4月底公告征收，估计最晚将于6月取得所有用地。同时，管理局3月已将部分用地租予台积电，台积电可以展开整地作业。

台积电此前已确定将在竹科宝山二期兴建Fab 20超大型晶圆厂，未来在此生产2nm。

设备业者指出，台积电Fab 20厂区将分为第一期到第四期、共兴建4座12吋晶圆厂，预计2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产。台积电2nm制程将采用纳米层片（Nanosheet）的环绕闸极（GAA）晶体管架构，技术开发进度符合预期。

台积电2nm之后的更先进制程将进入埃米（angstorm）时代，业界预期，台积电后续将推进到18埃米（1.8nm），但尚未决定设厂地点。设备业者评估，台积电2nm需求强度若优于预期，竹科用地不足，将可能转赴台中建立2nm及18埃米等先进制程晶圆厂，中科二期用地已纳入考虑。

台积电去年进入2nm N2制程技术的开发阶段，着重于测试载具设计与实作、光罩制作及硅试产等，主要进展在于提升基础制程设定、晶体管与导线性能。在光刻技术部份，台积电研发组织藉由提升晶圆良率达到可靠影像以支持3nm试产，并提升极紫外光（EUV）的应用、降低材料缺陷与增进平坦化的能力，以支持2nm技术的开发。