MTA32ATF4G64HZ-2G6B2 SODIMM DDR4 镁光 三星电子8年后重建研发中心专攻 先进NAND闪存
近日，全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在本月成立新的研发中心，负责开发更先进的 NAND 闪存。 据介绍，研发园区总面积约10.9万平方米，将负责NAND闪存、晶圆代工、系统芯片等新技术的研发。 三星电子计划到2028年在该园区投资约20万亿韩元（约合人民币1030亿元）。
最新消息是，三星电子举行了下一代半导体研发（R&D ) 公园于 8 月 19 日在韩国京畿道机兴公园举行。 报道显示，三星电子成立研发中心，研发更先进的NAND闪存，这与竞争对手开发出先进产品，NAND闪存研发领域竞争激烈有关。
韩媒在报道中提到，SK海力士已宣布研发出238层NAND闪存，预计明年上半年量产; 美光科技也完成了232层NAND闪存的开发。 为了在未来的NAND闪存市场中获得优势，势必会不断开发出更先进的产品。
研究机构数据显示，三星电子目前在NAND闪存市场的份额远高于其他厂商。 今年第一季度，三星电子的份额高达35.3%。 夏的份额为18.9%，SK海力士的份额为18%。 三星电子相关人士表示，如果建成拥有尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品的开发时间，提高半导体品质。
以上即是本站关于 《三星电子8年后重建研发中心专攻 先进NAND闪存》 全部内容，多谢阅览！
相关新闻
深圳市时时发控股有限公司专营电子元件批发、电子元件采购，是综合性的电子元器件网上商城。
电子元器件商城主营：存储IC/内存条/SSD/HDD/CPU/GPU等，品牌包括:三星,镁光,海力士,英特尔,英伟达等。
© 2022 深圳市时时发控股有限公司 粤ICP备19078955号
网站地图
QQ在线客服服务时间：周一至周五9:30-18:30
请选择以下客服在线沟通：
扫描二维码添加客服微信获取报价
