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英飞凌全新存储芯片HYPERRAM,可以为RAM存储器扩展

标签: 其他
分类:行业动态 时间:2022-08-30 阅读量:237

英飞凌推出新型HYPERRAM,进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus接口,可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM,英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用,包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)和汽车车联网(V2X),以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。

新型HYPERRAM存储芯片

新型HYPERRAM存储芯片

英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示:“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀,我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”

英飞凌HYPERRAM是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。HyperBus接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。

关于HYPERRAM

英飞凌在2017年推出了第一代支持HyperBus接口的HYPERRAM器件。第二代HYPERRAM器件于2021年推出,同时支持OctalxSPI和HyperBus JEDEC兼容接口,最高数据速率可达到400 MBps。第三代HYPERRAM器件支持新的扩展HyperBus接口,实现了800 MBps的数据速率。HYPERRAM?器件的密度范围为64 Mb至512 Mb,经AEC-Q100认证并可支持最高125℃工业和汽车温度等级。


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