三星宣布开发出业界首个基于HKMG的DDR5，容量达到512GB，其DDR5的三大亮点：更高性能，更大容量，更低功耗，可以更好的满足人工智能AI/机器学习ML，以及大数据分析、密集型工作负载的数据中心领域需求，目前正在对客户进行送样。

三星DDR5模块利用Through-Silicon Via (TSV) 技术，新的DDR5 8层堆叠16Gb DRAM芯片，可提供512GB的最大容量，而在2014年首次使用TSV技术也推出了容量高达256GB的DRAM服务器模块。

同时，三星基于High-K Metal Gate（HKMG）工艺技术，使DDR5模块最高达到7200 Mbps的速度，相当于DDR4性能的2倍以上。早在2018年，三星GDDR6是首次采用HKMG工艺，如今已将该技术扩大到了新一代DDR5产品中，进一步巩固其在下一代DRAM先进技术上的领先地位。

此外，由于随着DRAM结构的不断缩小，绝缘层变薄，导致漏电的风险增大。三星采用HKMG技术，DDR5不仅在性能上达到新的高度，而且可减少大约13%的功耗，使其特别适用于对能效要求越来越高的数据中心领域。

三星将与英特尔合作，加快DDR5向数据中心领域过渡

随着大数据存储对更高性能的要求，英特尔Sapphire Rapids架构服务器处理器，将基于10nm工艺，采用最新增强型SuperFin晶体管技术，支持DDR5内存、PCIe 5.0总线、CXL 1.1异构互联协议等，将于2021年下半年开始首批生产发货。

在英特尔服务器处理器的支持下，DDR5将向云数据中心、网络和边缘部署的领域过渡 ，三星DRAM计划小组副总裁Young-Soo Sohn表示，正在与英特尔等工程团队密切合作，凭借快速、节能的DDR5产品，不断优化服务器存储架构，提高性能。

不仅是服务器市场，移动市场，尤其是在中、高端手机市场，LPDDR5已实现了大规模的普及，PC市场目前有待于英特尔处理器平台的支持，而三星、美光、SK海力士三大DRAM原厂已提早布局。

2020年美光基于1znm制程技术的DDR5 RDIMM已开始送样，满足下一代服务器工作负载及数据中心系统对DRAM高带宽和高容量的要求，并与渠道合作伙伴一起合作推广。三星其实也是在2020年研发出DDR5，如今DDR5模块进入客户送样阶段，加快DRR5在市场上的应用速度，SK海力士也正在推动DDR5产品商业化应用，满足服务器、PC、车用等市场需求的增长。

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