IntelCEO基辛格宣布在美国俄亥俄州投资200亿美元新建大型晶圆厂，这是IntelIDM2.0战略的一部分，整个投资计划高达1000亿美元，新工厂预计2025年量产，虽然官方并未提及届时工厂的工艺水平，但此前英特尔曾表示要在2024年量产2纳米和1.8纳米工艺。

基辛格去年2月份担任IntelCEO以来，开始大力推动在美国及全球建厂，其中美国本土的投资至少超过400亿美元，去年已经在亚利桑那州投资200亿美元建晶圆厂，这次是在俄亥俄州同样投资200亿美元，还在新墨西哥州建设新的封测工厂。

intel.png英特尔投资200亿美元建芯片厂 新工厂预计2025年量产

因为这两座俄亥俄州的新工厂是在美国通过芯片补贴法案之后的第一座本土半导体芯片厂，因此地方高官也出席了开工仪式。

Intel的芯片制造基地将有2座晶圆厂组成，最多可容纳8个厂房及配套的生态支持系统，占地面积将近1000英亩，也就是4平方公里之大，将创造3000个高薪工作岗位，7000多个建筑工岗位，以及数万个供应链合作岗位。

这两座晶圆厂预计会在2025年量产，Intel没有具体提到工厂的工艺水平，但是Intel之前表示要在4年内掌握5代CPU工艺，2024年就要量产20A及18A两代工艺，因此这里的工厂届时应该也会量产18A工艺。

20A、18A是全球首个达到埃米级的芯片工艺，相当于友商的2nm、1.8nm工艺，还会首发Intel两大黑科技技术RibbonFET及PowerVia。

根据Intel所说，RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。