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MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR NAND FLASH 镁光-镁光图片 图片仅供参考,商品以实物为准

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR NAND FLASH 镁光

型号:MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
类型:HOT OFFER/热料
品牌:镁光
封装:FBGA
状态:在售
技术手册:查看
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MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR 详细参数介绍:

型号:MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

系列:NAND FLASH

品牌:镁光

存储器格式:NAND FLASH

安装类型:表面贴装型

存储器容量:768Gb(96G x 8)

存储器接口:并联

技术:FLASH - NAND

时钟频率:333 MHz

存取时间:-

访问时间:-

封装/外壳:132-VBGA

工作温度:0°C ~ 70°C(TA)

随机读取:-

DWPD:-

包装:卷带(TR)

存储器类型:非易失

电压-供电:2.5V ~ 3.6V

电流-最大值:-

闪存架构:-

仓库:深圳/香港

品质:原装正品


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