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W66BQ6NBUAGJ 详细参数介绍:
W66BQ6NBUAGJ存储器格式:DRAM
安装类型:表面贴装型
存储器类型:DRAM
存储容量:2Gb
电压-供电:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
存储器接口:LVSTL_11
时钟频率:1.866 GHz
访问时间:3.5 ns
封装/外壳:200-WFBGA(10x14.5)
技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
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