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THGJFGT1E45BAIL 详细参数介绍:
存储器类型:非易失存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR(SLC)
存储容量:2Tb
存储器组织:256G x 8
存储器接口:UFS 3.1
时钟频率:1.16 GHz
写周期时间:-
访问时间:-
电压 - 供电:2.4V ~ 3.6V,2.7V ~ 3.6V
工作温度:-25°C ~ 85°C
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:153-BGA(11.5x13)
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电子元器件商城主营:存储IC/内存条/SSD/HDD/CPU/GPU等,品牌包括:三星,镁光,海力士,英特尔,英伟达等。
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