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TC58BYG2S0HBAI6 详细参数介绍:
存储器类型:非易失存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间:25ns
访问时间:25 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:67-VFBGA(6.5x8)
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电子元器件商城主营:存储IC/内存条/SSD/HDD/CPU/GPU等,品牌包括:三星,镁光,海力士,英特尔,英伟达等。
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