MTA32ATF4G64HZ-2G6B2 SODIMM DDR4 镁光
座机：0755-82988826
手机：19166208396（微信同号）
Q Q：3628728973
邮箱：3628728973@qq.com
优势产品
- DDR
- GDDR
- LPDDR
- FLASH
- eMMC
- MCP
- eMCP
- RLDRAM
- UFS
- HBM
- SSD/固态硬盘
- RAM/内存条
- HDD/硬盘
- CPU/处理器
- GPU/显卡
- 晶圆
- GPU服务器
- HOT OFFER/热料
- 其他
联系我们
图片仅供参考，商品以实物为准
相似产品
FCH099N60E 详细参数介绍：
型号：FCH099N60E
品牌：安森美/on
系列：MOSEFT
描述：MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
包装：散装,管件
零件状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 18.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3465 pF @ 380 V
功率耗散（最大值）:357W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
热销产品
新闻资讯
深圳市时时发控股有限公司专营电子元件批发、电子元件采购，是综合性的电子元器件网上商城。
电子元器件商城主营：存储IC/内存条/SSD/HDD/CPU/GPU等，品牌包括:三星,镁光,海力士,英特尔,英伟达等。
© 2022 深圳市时时发控股有限公司 粤ICP备19078955号
网站地图
在线客服
QQ咨询
QQ在线客服服务时间：周一至周五9:30-18:30
请选择以下客服在线沟通：
微信咨询
扫描二维码添加客服微信获取报价
免费样品
