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FQA9N90C-F109 MOS(场效应管）-ON/安森美图片 图片仅供参考，商品以实物为准

FQA9N90C-F109 MOS(场效应管）

型号:FQA9N90C-F109
类型：MOS(场效应管）
品牌:ON/安森美
封装:TO-3P
状态:在售
技术手册:查看
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产品详情

FQA9N90C-F109 详细参数介绍：

型号：FQA9N90C-F109

品牌：安森美/on

系列：MOSEFT

描述：MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

包装：散装,管件

零件状态：在售

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:900 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 4.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V

Vgs（最大值）:±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2730 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）:280W（Tc）

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3P


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