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FDN308P MOS(场效应管）-ON/安森美图片 图片仅供参考，商品以实物为准

FDN308P MOS(场效应管）

型号:FDN308P
类型：MOS(场效应管）
品牌:ON/安森美
封装:SOT-23-3
状态:在售
技术手册:查看
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产品详情

FDN308P 详细参数介绍：

型号：FDN308P

品牌：安森美/on

系列：MOSEFT

描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

包装：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带,散装

零件状态：在售

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）:±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:341 pF @ 10 V

功率耗散（最大值）:500mW（Ta）

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:SOT-23-3


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