MTA32ATF4G64HZ-2G6B2 SODIMM DDR4 镁光
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FDB110N15A 详细参数介绍：
型号：FDB110N15A
品牌：安森美/on
系列：MOSEFT
描述：MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
包装：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带,散装
零件状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):92A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 92A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4510 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）:234W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK（TO-263）
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