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NVH4L160N120SC1 MOS(场效应管）-ON/安森美图片 图片仅供参考，商品以实物为准

NVH4L160N120SC1 MOS(场效应管）

型号:NVH4L160N120SC1
类型：MOS(场效应管）
品牌:ON/安森美
封装:TO-247-4L
状态:在售
技术手册:查看
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产品详情

NVH4L160N120SC1 详细参数介绍：

型号：NVH4L160N120SC1

品牌：安森美/on

系列：MOSEFT

描述：SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）:1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:224毫欧 @ 12A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4，3V @ 2，5mA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:34 nC @ 20 V

Vgs（最大值）:+25V，-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:665 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）:111W（Tc）

工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-4L


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