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NTH4L015N065SC1 详细参数介绍:
型号:NTH4L015N065SC1
品牌:安森美/on
系列:MOSEFT
描述:SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
包装:卷带(TR)
零件状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):142A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 75A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 25mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):283 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4790 pF @ 325 V
功率耗散(最大值):500W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4L
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