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FQN1N50CTA MOS(场效应管）-ON/安森美图片 图片仅供参考，商品以实物为准

FQN1N50CTA MOS(场效应管）

型号:FQN1N50CTA
类型：MOS(场效应管）
品牌:ON/安森美
封装:TO-92-3
状态:在售
技术手册:查看
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产品详情

FQN1N50CTA 详细参数介绍：

型号：FQN1N50CTA

品牌：安森美/on

系列：MOSEFT

描述：MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3

包装：剪切带（CT）,带盒（TB）

零件状态：在售

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 190mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V

Vgs（最大值）:±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:195 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）:890mW（Ta），2.08W（Tc）

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-92-3


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